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PCB線路板浸鍍銀工藝的各種預(yù)防方法

發(fā)布日期:2020年05月19日 瀏覽次數(shù):

  小編給大家介紹一下以下五項(xiàng)常見(jiàn)的多層線路板浸鍍銀缺點(diǎn)經(jīng)由藥水商與設(shè)備商以及PCB線路板廠等現(xiàn)場(chǎng)之解困研究,現(xiàn)已找出某些預(yù)防與改善的辦法,可提供多層線路板廠工作解決問(wèn)題與提升良率,現(xiàn)分述于下:

  1、多層線路板賈凡尼咬銅

  此問(wèn)題須上溯到電鍍銅制程,發(fā)現(xiàn)凡對(duì)象為高厚徑比的深孔鍍銅與盲孔鍍銅之案例,若能提供其銅厚分布更均勻者,將可減少此種賈凡尼咬銅現(xiàn)象。且多層線路板制程中金屬阻劑(例如純錫層)的剝除與蝕刻銅等,一旦出現(xiàn)過(guò)度蝕刻而存在側(cè)蝕現(xiàn)象者,亦可能會(huì)產(chǎn)生細(xì)縫而藏有電鍍液與微蝕液。

  事實(shí)上賈凡尼問(wèn)題大的來(lái)源就是綠漆工程,其中以綠漆現(xiàn)象所造成的側(cè)蝕與皮膜浮雕容易造成細(xì)縫。凡能讓綠漆現(xiàn)象出現(xiàn)正性的殘足而非負(fù)性的側(cè)蝕,并在綠漆徹底后硬化之下,則此種賈凡尼的咬銅之缺失將可予以排除。至于電鍍銅的操作務(wù)必在強(qiáng)烈的攪拌中讓深孔中電鍍銅更為均勻,此時(shí)還需用利用超音波與強(qiáng)流器(Eductor)的幫忙攪拌,以改善槽液的質(zhì)傳與銅厚的分布。至于PCB板浸鍍銀的本身制程,則需嚴(yán)格管制其前段的微蝕咬銅率,平滑的銅面亦可減少綠漆后細(xì)縫的存在。后是銀槽本身不可出現(xiàn)太強(qiáng)的咬銅反應(yīng),PH值以中性為宜,且鍍著速率也不可太快,好在厚度上要盡量的剪薄,而于佳化之銀結(jié)晶之下才能做好抗變色的功能。

  

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  2、多層線路板變色的改善

  其改善方法是增加鍍層密度與減少其疏孔度(Porosity),包裝產(chǎn)品務(wù)必采用無(wú)硫紙并加以密封,以隔絕掉空氣中的氧氣與硫份,進(jìn)而降低其變色的來(lái)源。且儲(chǔ)存區(qū)環(huán)境的氣溫不宜超過(guò)30℃,濕度須低于40%RH,好采行先用的政策,避免存放太久而產(chǎn)生問(wèn)題。

  3、多層線路板的PCB電路板板面離子污染的改善

  若能將浸鍍銀槽液的離子濃度,在不妨礙鍍層品質(zhì)而予以降低時(shí),則板面所帶出而附著的離子自然得以減量。完成浸鍍后的清潔中,其干燥前務(wù)必還要經(jīng)過(guò)純水的漂洗1分鐘以上,以減少附著的離子。而且對(duì)于完工板也還要定時(shí)檢驗(yàn)其清潔度,務(wù)必讓多層線路板板面的殘余離子量減到低而能合業(yè)界的規(guī)范。所做過(guò)的試驗(yàn)均應(yīng)保存其記錄,以備不時(shí)之需。

  4、多層線路板銀面露銅的改善

  浸鍍銀之前的各種流程均需小心管控,例如微蝕銅面后注意其“水破”的檢測(cè)(WaterBreak指拒水性)與特別亮銅點(diǎn)的觀察,此皆表示銅面可能存在某些異物。微蝕良好的干凈銅面,其直立狀態(tài)須保持40秒內(nèi)不可發(fā)生水破現(xiàn)象。連線設(shè)備亦應(yīng)定期保養(yǎng),以維持其水性的均勻性,如此方能得到較均勻的鍍銀層。操作中還需不斷對(duì)浸鍍銅時(shí)間、液溫、攪拌,與孔徑大小等進(jìn)行DOE實(shí)驗(yàn)計(jì)劃之試驗(yàn),以取得佳品質(zhì)的鍍銀層、且對(duì)于具有深孔的厚板以及HDI微盲孔板的浸鍍銀制程,也可另采用超音波與強(qiáng)流器的外力協(xié)助,以改善銀層的分布。此等槽液的額外強(qiáng)力攪拌,確可改善深孔與盲孔中的yao水潤(rùn)濕與交換的能力,對(duì)于整個(gè)濕制程都有莫大的幫助。

  

PCB板鍍銀工藝


  

  5、多層線路板焊點(diǎn)微洞的改善

  介面微洞仍是目前浸鍍銀難改善的缺點(diǎn),因?yàn)槠湔嬲某梢蛑两袢晕凑嫦啻蟀?,但至少某些相關(guān)的原因已可確定。于是在盡量減少其關(guān)連性因素的發(fā)生下,當(dāng)然也可減少下游焊接微洞的發(fā)生。

  相關(guān)因素中又以銀層厚度為關(guān)建,務(wù)須將銀層厚度盡可能的減低。其次是前處理的微蝕不可讓銅面太過(guò)粗糙,而銀厚度分布的均勻性也是重點(diǎn)。至于銀層中的有機(jī)物含量,則可能從多點(diǎn)取樣銀層純度分析中而反向得知,其中純銀含量不可低于90%之原子比。

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